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化合物半导体应用前景广阔,市场规模持续扩大

更新时间:2019-11-26
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化合物半导体应用前景广阔,市场规模持续扩大

化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作为第二代和第三代半导体的主要代表,因其在高功率、高频率等方面特有的优势,在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。

多年以来,世界各国始终对化合物半导体保持高度重视,出台相关政策支持本国产业的发展,2017年美国、德国、欧盟、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划,总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国政府的大力支持,自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来,化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步,为化合物半导体的应用提供了坚实的基础。目前,随着ALD(原子层淀积)技术的逐渐成熟,化合物半导体HMET结构以及MOSFET结构的器件质量以及可靠性得到了极大的提升,进一步提高了化合物半导体材料在高频高压应用领域的市场占有率。未来随着化合物半导体制造工艺的进一步提升,在逻辑应用方面取代传统硅材料,从而等效延续摩尔定律成为了化合物半导体更为长远的发展趋势。

作为化合物半导体最主要的应用市场,射频器件市场经历了2015年到2016年的缓慢发展,时至今日,随着5G基站更新换代以及设备小型化的巨大需求,全球射频功率器件市场在2016年到2022年间将以9.8%的复合年增长率快速增长。市场规模有望从2016年的15亿美元增长到2022年25亿美元1。此外,随着通信行业对器件性能的要求逐渐提高,GaN、GaAs等化合物半导体器件的优势逐渐显现,传统硅工艺器件逐渐被取代,预计到2025年,化合物半导体将占据射频器件市场份额的80%以上。

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