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大手笔!三星电子闪存芯片项目二期规模达150亿美元

更新时间:2019-12-13
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近日,三星电子决定将对其中国西安芯片工厂增加80亿美元的投资。此次投资是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资,而第一阶段投资约为70亿美元。

为促进NAND闪存芯片的生产,三星电子日前启动了芯片项目二期第二阶段的投资。

据悉,位于中国陕西西安高新综合保税区的二期项目总投资为150亿美元,主要制造闪存芯片。其中,第一阶段投资约为70亿美元,将于2020年3月竣工投产;第二阶段投资约为80亿美元,将于2021年下半年竣工。预计二期项目建成后,三星电子闪存芯片项目每月产能将新增13万片、产值将新增300亿元。

三星电子

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